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(二)多晶硅电池组件和单晶硅电池组件的光电转换效率分别高 于 16% 和 16.5%; 自项目投产运行之日起，一年内衰减分别不高于 2.5%、3%，之后每年衰减不高于 0.7%，项目 25 年衰减不高于 20%; 在温度 85℃、湿度 85%、测试电压 1000V、测试时间 96 小时标准条 件下，PID 衰减不高于 3%;电流分档不大于 0.05A;应通过 CQC 或 TUV 认证，以及耐氨气、盐雾认证;质保不低于 12 年。
